La combinaison des technologies X3 et 32 nanomètres permet des gains importants en termes de taille et de densité, tout en réduisant les coûts de fabrication et en maintenant les performances
- Possibilité de produire des cartes microSD de capacité supérieure à celle permise par les technologies existantes
- Maintien des niveaux de performances du procédé 43 nanomètres grâce à l'architecture avancée ABL (All-Bit-Line) de SanDisk et à des améliorations du procédé 32 nanomètres
 Paris, France le 11 février 2009 – SanDisk Corporation (NASDAQ : SNDK) et Toshiba Corporation annoncent le développement en partenariat d'une mémoire flash NAND MLC (Multi-Level Cell) utilisant le procédé 32 nanomètres, permettant de produire une puce mémoire de 32 Gb X3 (3 bits par cellule). Ce lancement révolutionnaire devrait permettre l'arrivée rapide sur le marché de technologies évoluées intégrant des capacités supérieures et réduisant les coûts de fabrication de gammes de produits allant des cartes mémoire aux disques SSD (Solid State Drives).
« Moins de 18 mois après le lancement de la première génération de puces en 56 nanomètres, le développement de notre technologie de troisième génération de 3 bits par cellule en 32 nanomètres démontre le rythme incroyable requis pour rester l’un des principaux fabricants mondiaux», déclare Sanjay Mehrotra, cofondateur et président de SanDisk.« Nous serons en mesure de proposer des capacités supérieures dans un facteur de forme avantageux avec des coûts de fabrication inférieurs, contribuant ainsi à étendre nos diverses gammes de produits. Ce nouveau développement reflète le niveau d'expertise technique et d'innovation de SanDisk, bénéficiant à terme aux utilisateurs ».
Technologie X3 32 nanomètres - Idéale pour les applications microSD
TLa technologie 32 Gb X3 32 nm permet de produire la puce de mémoire flash NAND la plus compacte à ce jour. De la taille d'un ongle, elle convient au format des cartes mémoire microSD™, largement répandu dans les téléphones mobiles et autres appareils électroniques grand public. La mémoire microSD 32 Gb X3 32 nanomètres est la puce mémoire offrant la plus haute densité de l'industrie, soit le double d'une puce microSD en 43 nanomètres pour la même surface. Des progrès dans les procédés de gravure en 32 nanomètres et dans la conception de circuit ont largement contribué à fabriquer un composant de 113 mm2, tandis que l'architecture ABL (All-Bit-Line) de SanDisk permet de maintenir les performances X3 en écriture.
« La faible empreinte et l'incroyable densité de la puce X3 32 nanomètres permettront de produire des cartes microSD de capacité supérieure à celles fabriquées sans cette technologie », indique Yoram Cedar, vice-président et directeur, activités OEM et ingénierie d'entreprise de SanDisk. « Le facteur de forme microSD a gagné en popularité grâce à la demande croissante de capacités de stockage élevées sur les téléphones mobiles. X3 nous permettra de proposer des produits innovants sur ce marché. »
Une solution basée sur des technologies clés de SanDisk
Actuellement, la technologie mémoire flash en 32 nanomètres est la plus avancée du marché. Elle impose des solutions de pointe pour répondre aux défis du facteur d'échelle. Ce procédé 32 nanomètres associe plusieurs technologies innovantes qui réduisent de manière significative la courbe de tendance de la loi de Moore.
« En s’appuyant sur le succès du déploiement de la lithographie par immersion en 43 nanomètres de SanDisk, le procédé 32 nanomètres permet de mettre en place un processus d’espacement sans recourir à des investissements supplémentaires dans de couteux équipements lithographiques », précise Klaus Schuegraf, vice-président, technologie mémoire de SanDisk. « SanDisk p sa technologie de pointe NAND 64 bits à 32 nanomètres et compense simultanément les interférences entre bits par des innovations dans les algorithmes de programmation et la conception système ».
A l’occasion de l’ISSCC 2009 (International Solid State Circuits Conference), SanDisk et Toshiba présentent un document commun sur la mémoire flash NAND 32 Gb X3 32 nanomètres. Ce document met en évidence les avancées techniques qui ont permis d'atteindre les 32 nanomètres. La production du composant 32 Gb X3 32 nm devrait commencer au second semestre 2009.
A propos de SanDisk
SanDisk Corporation, inventeur et premier fabricant mondial des cartes mémoire flash, est un leader en matière de recherche, de fabrication et de conception de produits ainsi qu’en termes d’image de marque et de distribution auprès des consommateurs. L’offre de SanDisk comprend des cartes mémoire flash pour téléphones mobiles, appareils photo et caméscopes numériques, des baladeurs audio/vidéo numériques, des clés USB pour les particuliers et les entreprises, des mémoires embarquées pour terminaux mobiles ainsi que des lecteurs SSD pour ordinateurs. SanDisk (www.sandisk.fr/corporate) est une société S&P 500 implantée dans la Silicon Valley et réalisant plus de la moitié de son chiffre d’affaires en dehors des États-Unis.
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